第218章 开课
陈默在清华的第一段集中学习,也从这一天正式开始。
……
第一堂课只有三个人。
负责讲授器件物理的顾教授,周妍,以及坐在桌前的陈默。
黑板上很快出现了能带、载流子、PN结和MOS晶体管的基本结构。
顾教授讲得并不快。
吴华强提前和他沟通过,陈默需要的并非一套压缩后的本科课程,而是一条可以迅速连接器件、工艺和产业的知识主线。
因此,每讲完一个基础概念,他都会补充这一原理在真实芯片中的作用。
“栅极电压控制沟道,决定载流子能不能通过。”
顾教授在黑板上画出一个简单结构。
“你可以把它理解成一道门。晶体管缩小,门也会跟着变薄。”
“薄到一定程度以后,即使门关着,电子依旧可能穿过去。”
陈默看着黑板上的图。
“量子隧穿。”
“对。”
顾教授点点头。
“你以前接触过?”
“见过这个词。”
陈默没有隐瞒。
“只知道它会造成漏电,具体原理今天才明白。”
顾教授没有因为他的坦率降低要求,反而继续追问了几个问题。
陈默有些能够回答,有些只能摇头。
这才是他目前最真实的状态。
前世的他长期投资科技产业,参加过大量业绩会、发布会和产业论坛,也看过无数研究报告。
芯片制程、三维存储、高带宽内存、先进封装、硅光、存算一体,这些词他都不陌生。
他甚至清楚它们后来分别造就了哪些公司,又让哪些曾经辉煌的企业掉下牌桌。
可一旦涉及器件结构、材料特性和制造过程,那些记忆便会迅速变得模糊。
投资者需要判断方向和结果,工程师却必须解释其中的每一步。
陈默现在所做的,就是将两者连接起来。
第一天结束时,他的笔记本已经写满了大半。
第三天,顾教授开始讲短沟道效应和栅极结构演变。
陈默提出的问题,已经从“它为什么会漏电”,变成了“继续缩小以后,材料、结构和互联谁会先成为限制”。
第五天,课程进入半导体制造工艺。
光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗、抛光,每一道工序背后,都对应着庞大的设备和材料体系。
听到多重曝光时,陈默想起了未来不断膨胀的晶圆制造成本。
听到高深宽比刻蚀时,他脑海中浮现出三维闪存从几十层一路向数百层发展的过程。
听到键合和封装时,曾经看过的芯粒、混合键合和高带宽存储结构图,也第一次有了清晰的技术含义。
那些来自2035年的记忆,开始不断被眼前的知识唤醒。
第七天,负责存储结构的吴华强亲自给他上课。
从SRAM、DRAM到NAND,再到各种仍停留在实验室阶段的新型存储器,吴华强没有追求复杂的数学推导,而是要求陈默说清楚每种结构的优点、缺点和应用边界。
“容量、速度、寿命、功耗、成本。”
吴华强在纸上写下五个词。
“任何一种存储器,都不可能同时占据全部优势。”
“企业真正要做的,是知道自己愿意牺牲什么,又必须守住什么。”
陈默盯着那五个词看了一会儿。
前世那些存储公司的兴衰,仿佛也被重新放进了一套更加清晰的坐标系。
有些企业执着于实验室里的漂亮数据,迟迟解决不了良率和成本。
有些企业制程并不领先,却依靠控制器、固件和产品定义活得很好。
还有些公司提前数年押中正确路线,熬过最困难的投入期后,最终成为下一轮产业周期的赢家。
“吴教授。”
陈默忽然问道。
“如果存储单元本身的速度短期无法继续提升,有没有可能让数据少移动几次?”
吴华强抬头看了他一眼。
“继续说。”
“把一部分计算放进存储阵列或者控制器附近。”
陈默思索着组织语言。
“数据留在原地,只将结果送给处理器。”
“存算一体。”
吴华强直接说出了这个词。
“国内外已经有人研究,只是器件一致性、精度、编程模型和应用场景都没有解决。”
“你为什么会想到它?”
“以前看过类似概念。”
陈默低头在笔记本上写下四个字。
“现在才明白它解决的究竟是什么问题。”
吴华强看了一眼,没有继续追问。
站在旁边的周妍,心里的疑惑却
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